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Un wafer di silicio da 300 mm contenente migliaia di dispositivi GaAs con un ingrandimento di più chip e una micrografia elettronica a scansione di un array di nano-cime GaAs dopo epitassia. Un wafer di silicio da 300 mm contenente migliaia di dispositivi GaAs con un ingrandimento di più chip e una microfotografia a scansione elettronica di un array di nano-creste di GaAs dopo epitassia.
  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Imec registra un successo travolgente nella fotonica di silicio e apre la strada a componenti ottici economici e ad alte prestazioni.

Prima produzione completa di laser a nano-ridge basati su GaAs alimentati elettricamente su wafer di silicio da 300 mm in scala wafer

Imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, ha raggiunto un traguardo significativo nella silicon photonics con la dimostrazione riuscita di laser a multi-quantum-well nanoridge basati su GaAs alimentati elettricamen…

Bormann & Neupert di BS&B Bormann & Neupert di BS&B
  • Mobilità del futuro

Bormann & Neupert di BS&B accelera sistematicamente lo sviluppo e la produzione di prototipi personalizzati di dischi di rottura. I produttori originali beneficiano di soluzioni di scarico della pressione su misura in tempi molto rapidi.

Produzione più rapida di prototipi di dischi di rottura

Un rapido progresso tecnologico e cicli di sviluppo prodotto sempre più brevi pongono produttori e fornitori di componenti di sicurezza industriale di fronte a sfide temporali sempre maggiori. Bormann & Neupert by BS&B ha ora ulteriormente sistematizzato la rapida fornitura di prototipi di d…

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