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Strutturazione a singola esposizione con passo di 28 nm utilizzando il processo MOx di Inpria su uno scanner EUV a campo completo con NA 0,33 dopo metallizzazione Ru. / 28nm pitch single-exposure patterning using Inpria’s MOx process on a 0.33NA EUV full field scanner after Ru metallization. Pitch-linee/spazi di 24 nm ottenuti su uno scanner a campo completo NXE:3400B con NA 0,33, (a sinistra) dopo lo sviluppo e (a destra) dopo l'etching sulla dimensione critica obiettivo (CD) (uLER = rugosità del bordo della linea senza bias). Fori di contatto da 28nm, ottenuti con uno scanner a campo completo NXE:3400 con NA 0,33, dopo lo sviluppo.

Correlazione dimostrata tra dati morfologici ed elettrici su linee/spazi a passo di 28 nm aumenta la comprensione degli effetti dei difetti stocastici sulla affidabilità / resa dei componenti

Imec spinge la capacità di patterning a esposizione singola di 0,33NA EUVL ai suoi limiti

Questa settimana imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, e ASML, il produttore mondiale di impianti di litografia a semiconduttori, presenteranno alla SPIE Advanced Lithography Conference 2021 diversi interventi…

Collaborazione tra Sarcura e imec mira allo sviluppo di una soluzione citometrica basata sulla fotonica di silicio, che consenta il controllo e la manipolazione dei processi cellulari in tempo reale.

SARCURA e imec collaborano su una soluzione di citometria ad alta produttività per la separazione automatizzata di cellule (T), affrontando le sfide nella produzione di terapie cellulari e geniche

La Sarcura GmbH, una startup tecnologica austriaca in fase iniziale, ha annunciato oggi la collaborazione con imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali. L'obiettivo è lo sviluppo di un prototipo di cytometro basato…

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