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Secciones transversales del proceso de los componentes de alta tensión fabricados en sustratos GaN sobre SOI de 200 mm (a) e-mode pGaN-HEMT, (b) d-mode MIS-HEMT, (c) diodo de barrera Schottky. Todos los dispositivos incluyen placas de campo metálicas basadas en capas metálicas de front-end e interconexión y separadas por capas dieléctricas.
  • Ciencia

La integración garantiza una mejora significativa en el rendimiento de los sistemas de potencia GaN

Imec muestra una integración monolítica exitosa de diodos Schottky y HEMTs en modo de agotamiento con GaN-IC de 200 V

Esta semana, imec, el principal centro de investigación e innovación en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presenta en el International Electron Devices Meeting 2021 (IEEE IEDM 2021) la exitosa co-integración de diodos Schottky de alto rendimiento y HEMTs en modo de agotamiento en una platafor…

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