- Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)
- Traducido con IA
Infineon establece en Europa la primera fabricación de alto volumen del mundo de semiconductores de potencia de nitruro de galio sobre obleas de 300 milímetros
– Inversión de alrededor de 1.100 millones de euros en el centro de Villach como centro de competencia mundial para semiconductores de potencia
– Semiconductores de última generación para satisfacer la creciente demanda de chips energéticamente eficientes, entre otros, para centros de datos de IA, infraestructuras energéticas, movilidad eléctrica y robótica
– La ampliación se llevará a cabo en consonancia con la demanda del mercado
– Financiación por un importe de 319 millones de euros en el marco de la Ley Europea de Chips para reforzar la soberanía tecnológica
Infineon Technologies AG está construyendo la primera fábrica de alto volumen del mundo para semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) de última generación sobre obleas de 300 milímetros. En el marco del proyecto, Infineon invertirá alrededor de 1.100 millones de euros hasta 2034 en las salas blancas existentes de su centro de Villach. El uso simultáneo de la infraestructura existente y modernizada permite ampliar las capacidades de producción de forma especialmente eficiente y rentable. Está previsto que la producción comience a finales de 2027. Con esta inversión, Infineon responde a la fuerte y creciente demanda de soluciones eficientes de suministro eléctrico. El nitruro de galio permite lograr importantes mejoras de eficiencia en numerosas aplicaciones, como centros de datos de IA, infraestructuras energéticas, movilidad eléctrica, robótica y electrónica de consumo.
Infineon es líder en el ámbito de la electrónica de potencia basada en nitruro de galio. Hace dos años, Infineon marcó un hito tecnológico al procesar con éxito las primeras obleas de nitruro de galio de 300 milímetros del mundo. La producción de chips sobre obleas de 300 milímetros es más avanzada y considerablemente más eficiente que sobre obleas de 200 milímetros, ya que el mayor diámetro de la oblea permite producir 2,3 veces más chips por oblea. Con la inversión anunciada hoy, Infineon trasladará ahora esta tecnología a la primera fábrica de alto volumen del mundo destinada al suministro a clientes.
«Esta sustancial inversión es nuestro claro compromiso con el fortalecimiento del ecosistema europeo de semiconductores y de la soberanía tecnológica de Europa. Con la construcción de la fábrica de alto volumen de 300 milímetros, somos la primera empresa del mundo en llevar la electrónica de potencia basada en nitruro de galio a la producción en volumen», afirma Jochen Hanebeck, presidente del consejo de administración de Infineon Technologies AG. «Con ello allanamos el camino para el uso generalizado del nitruro de galio en una gran variedad de aplicaciones clave en ámbitos como la inteligencia artificial, las infraestructuras energéticas, la movilidad eléctrica y la robótica. Esta nueva fábrica de última generación convierte el liderazgo en innovación en beneficios directos para nuestros clientes».
Christian Stocker, canciller federal de la República de Austria: «Con la inversión de miles de millones de Infineon asistimos a una de las mayores inversiones individuales de la historia de la industria tecnológica austriaca. Esto no solo representa un firme compromiso con nuestro emplazamiento económico, sino que también garantiza que el futuro de la industria de los semiconductores no se decidirá únicamente en Asia o América, sino también en Austria y Europa. Así, en Villach se está creando una producción única en el mundo para una de las tecnologías clave decisivas del futuro. Esto refuerza nuestra competitividad internacional y asegura puestos de trabajo y creación de valor en nuestro país. Porque Austria quizá no sea un país con infinitos recursos naturales, pero sí es un país con un talento infinito. Nuestra investigación de excelencia establece estándares internacionales y empresas como Infineon demuestran día tras día cómo funciona la innovación made in Austria. Queremos basarnos precisamente en estos puntos fuertes con nuestra estrategia industrial, con el objetivo de volver a situarnos entre las diez principales naciones industriales del mundo para 2035».
Wolfgang Hattmannsdorfer, ministro de Economía de la República de Austria: «Los chips son para la economía del mañana tan importantes como lo fue el petróleo para la economía de ayer. Actualmente, Europa representa solo alrededor del diez por ciento de la producción mundial de chips. Para mí, está claro: también debemos producir esta tecnología clave en Europa. Austria ya es líder en chips energéticamente eficientes. En relación con el tamaño de nuestra población, ocupamos el primer puesto en la UE en cuanto al gasto en investigación empresarial en el ámbito de los semiconductores. Queremos ampliar esta ventaja con nuestra estrategia industrial y no solo investigar nuevas tecnologías, sino también producirlas a escala industrial. Todo el emplazamiento económico se beneficia de ello: por cada puesto de trabajo en la industria de los chips pueden generarse, en términos matemáticos, otros seis puestos de trabajo en la economía. Por eso queremos apoyar la nueva producción de chips de Infineon con hasta 319 millones de euros, aplicando criterios de financiación claros para el emplazamiento. De este modo, garantizamos que los fondos públicos refuercen a largo plazo la creación de valor y el empleo en Austria».
La inversión en esta innovadora tecnología del futuro a escala mundial recibe apoyo en el marco de la Ley Europea de Chips. La Comisión Europea aprobó ayudas estatales por un importe de 319 millones de euros. Se espera que el compromiso formal de financiación por parte del ministerio federal austriaco competente de Economía, Energía y Turismo se produzca dentro de los plazos establecidos. Con la aprobación de la financiación por parte del Ministerio Federal de Economía, Energía y Turismo, la Comisión Europea no solo permite ampliar las capacidades de producción en Europa, sino que también posibilita efectos positivos en ámbitos relacionados, por ejemplo, mediante la cooperación transfronteriza con universidades e instituciones de investigación o un mejor acceso de las empresas emergentes, así como de las pequeñas y medianas empresas, a tecnologías y productos innovadores.
«La competitividad y la soberanía tecnológica surgen allí donde la investigación de excelencia se convierte en creación de valor industrial. Precisamente ahí es donde se centra nuestro proyecto insignia: desde Austria llevamos la innovación a la aplicación industrial, reforzamos nuestro liderazgo tecnológico y aseguramos puestos de trabajo altamente cualificados. La microelectrónica es una industria clave con un enorme efecto multiplicador para la economía y la sociedad. Todo el ecosistema austriaco de semiconductores se beneficia de ello, desde las organizaciones de investigación y las universidades hasta los socios industriales. De este modo, reforzamos de forma sostenible la competitividad y la autonomía estratégica de Europa en el ámbito de la microelectrónica», destaca Sabine Herlitschka, presidenta del consejo de administración de Infineon Technologies Austria AG.
La inversión refuerza el papel de Villach como centro de competencia mundial para la electrónica de potencia y los nuevos materiales semiconductores. Infineon Austria cuenta actualmente con alrededor de 5.800 personas empleadas, de las cuales unas 4.800 trabajan en el centro de Villach[1]. Junto con universidades, instituciones de investigación, empresas emergentes y socios industriales, Infineon constituye el núcleo de un ecosistema de microelectrónica visible a escala internacional en el sur de Austria. La construcción de la nueva fábrica de GaN de 300 milímetros también generará efectos positivos gracias a las actividades de investigación y desarrollo en el ámbito de la electrónica de potencia que también se llevan a cabo en Villach.
El nitruro de galio es un material semiconductor moderno que permite conmutar y convertir la electricidad de forma considerablemente más eficiente. Esto da lugar a sistemas electrónicos más pequeños, potentes y eficientes desde el punto de vista energético, con menores pérdidas de energía y una menor generación de calor.
Los analistas prevén que el mercado de semiconductores de potencia de GaN alcance alrededor de 3.500 millones de dólares en 2031, lo que supone un crecimiento anual aproximado del 35 % entre 2025 y 2031.[2]
[1] Ejercicio fiscal 2025, a fecha de 30 de septiembre de 2025
[2] Yole Group: informe Power GaN 2026. https://www.yolegroup.com/product/report/power-gan-2026/
Infineon Technologies AG
85579 Neubiberg
Alemania









