Nowy rok, nowa praca? Sprawdź oferty! Więcej ...
Systec & Solutions GmbH Buchta Hydroflex Becker



Wszystkie publikacje od Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

4-calowy wafer GaN na SiC technologii GaN07 Fraunhofer IAF. Wafle są w pełni produkowane i testowane na własnej linii półprzewodnikowej firmy, obejmując projektowanie, epitaksję, obróbkę waferów i charakteryzację. © Fraunhofer IAF / Frontside processed 4-inch GaN-on SiC wafer of Fraunhofer IAF's GaN07 technology. Wafle są całkowicie wykonane i testowane na linii procesowej III-V Fraunhofer IAF, w tym projektowanie i produkcja zestawów masek do obróbki, epitaksja, obróbka waferów i charakteryzacja. © Fraunhofer IAF
  • Know How, Instytut

EuMW 2025: Fraunhofer IAF prezentuje 70-nm tranzystor GaN dla satelitów wysokoprzepustowych

Technologia półprzewodników dla szerokopasmowej komunikacji satelitarnej osiąga rekordową wydajność

Badacze z Fraunhofer IAF opracowali technologię tranzystorów GaN z bramką o długości 70 nm, która w warunkach typowych dla satelitów osiąga rekordowe wartości pod względem wydajności. Technologia ta ma umożliwić w przyszłości kompaktowe aktywne anteny do szybkich transferów danych w paśmach Ka, Q i…

Sekretarz stanu Dr. Patrick Rapp (z prawej), Ministerstwo Gospodarki, Pracy i Turystyki, wręcza kierownictwu instytutu Fraunhofer IAF, Dr. Patricie Merkert (z lewej) i prof. dr. Rüdigerowi Quayowi (z lewej), symboliczny czek na kwotę dofinansowania w wysokości 4,35 mln euro. © Fraunhofer IAF / Sekretarz stanu Dr. Patrick Rapp, Ministerstwo Gospodarki, Pracy i Turystyki, wręcza symboliczny czek na kwotę dofinansowania w wysokości 4,35 miliona euro kierownictwu instytutu Fraunhofer IAF, Dr. Patricie Merkert i prof. dr. Rüdigerowi Quayowi. © Fraunhofer IAF Po przekazaniu czeku sekretarz stanu dr Patrick Rapp omawia na miejscu linię pilotażową APECS oraz planowane działania Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF / After handing over the cheque, State Secretary Dr. Patrick Rapp discusses the APECS pilot line and the planned activities of Fraunhofer IAF on site. © Fraunhofer IAF W ramach linii pilotażowej APECS, obszar technologii suchych wytrawiania w czystym pomieszczeniu Fraunhofer IAF dla wafli 6-calowych jest rozbudowywany. © Fraunhofer IAF / As part of the APECS pilot line, the area of dry etching technology in the Fraunhofer IAF clean room for 6′′ wafers is being expanded. © Fraunhofer IAF Post-CMOSowe chipy czujników ciśnienia z pakowaniem na poziomie wafla przed oddzieleniem. © Fraunhofer ISIT / Post-CMOSowe chipy czujników ciśnienia z pakowaniem na poziomie wafla przed cięciem. © Fraunhofer ISIT
  • Know How, Instytut

Baden-Württemberg uczestniczy kwotą 4,35 mln euro w finansowaniu w ramach EU Chips Act

Fraunhofer IAF rozszerza możliwości technologiczne dla innowacji chipletów w ramach pilotażowej linii APECS

Fraunhofer IAF rozszerza swoje możliwości technologiczne w dziedzinie półprzewodników III-V i wnosi cenny wkład w budowę linii pilotażowej APECS w ramach EU Chips Acts. Ministerstwo Gospodarki, Pracy i Turystyki Badenii-Wirtembergii uczestniczy w finansowaniu kwotą 4,35 mln euro. 16 grudnia 2024 rok…

Badaczom z Fraunhofer IAF udało się wyhodować heterostruktury AlYN/GaN w reaktorze MOCVD na 4-calowych podłożach SiC. © Fraunhofer IAF / Researchers at Fraunhofer IAF have succeeded in growing AlYN/GaN heterostructures in a MOCVD reactor on 4-inch SiC substrates. © Fraunhofer IAF Różne odcienie kolorów wafli AlYN/GaN wynikają z różnych stężeń itru oraz warunków wzrostu. © Fraunhofer IAF / Różne odcienie kolorów wafli AlYN/GaN wynikają z różnych stężeń itru oraz warunków wzrostu. © Fraunhofer IAF Dzięki swoim pracom nad epitaksją i charakteryzacją heterostruktur AlYN/GaN, zespół badawczy Fraunhofer IAF dokonał przełomu w dziedzinie materiałów półprzewodnikowych. © Fraunhofer IAF / With their work on the epitaxy and characterization of AlYN/GaN heterostructures, the Fraunhofer IAF research team achieved a breakthrough in the field of semiconductor materials. © Fraunhofer IAF
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Kamień milowy w rozwoju półprzewodników

Nowy materiał półprzewodnikowy: AlYN obiecuje bardziej energooszczędną i wydajniejszą elektronikę

Badacze z Fraunhofer IAF dokonali przełomu w dziedzinie materiałów półprzewodnikowych: dzięki aluminiumyttriowemu azotkowi (AlYN) udało im się wyprodukować i scharakteryzować nowy i obiecujący materiał półprzewodnikowy za pomocą metody MOCVD. Ze względu na jego doskonałe właściwości materiałowe i zd…

Kryogeniczny on-wafer-prober w Fraunhofer IAF umożliwia w pełni automatyczną charakterystykę do 25 pełnych wafli o średnicy 200 mm lub 300 mm z elementami do komputerów kwantowych i czujników. © Fraunhofer IAF / The cryogenic on-wafer prober at Fraunhofer IAF enables fully automatic characterizations of up to 25 whole 200-mm or 300-mm wafers with devices for quantum computing and sensing. © Fraunhofer IAF Ustawienie do charakteryzacji RF w warunkach kriogenicznych. © Fraunhofer IPMS / Ustawienie do charakteryzacji RF w warunkach kriogenicznych. © Fraunhofer IPMS Konsorcjum ARCTIC. © imec / Konsorcjum ARCTIC. © imec © imec
  • Nauka

Fraunhofer IPMS i IAF współpracują z 34 europejskimi partnerami w projekcie „ARCTIC”

Projekt UE skupia siły na drodze do ery skalowalnych procesorów kwantowych

Aby uczynić komputery kwantowe użytecznymi, kluczowy jest rozwój sterowania dla systemów skalowalnych, ale wciąż jest on na wczesnym etapie rozwoju. Projekt »ARCTIC« łączy 36 międzynarodowych partnerów z przemysłu, nauki i wiodących instytucji badawczych, aby zbudować pełny i kompleksowy europejski…

Sekretarz stanu ds. gospodarczych Dr Patrick Rapp oraz pełniący obowiązki dyrektora instytutu Prof. Dr Rüdiger Quay w pomieszczeniu czystym Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF W sali szkoleniowej do nauki komputerów kwantowych Fraunhofer IAF przedstawiono postępy w optymalizacji algorytmów kwantowych. © Fraunhofer IAF W Laboratorium aplikacyjnym sensorów kwantowych Fraunhofer IAF dostępne są najnowocześniejsze systemy pomiarowe kwantowe. © Fraunhofer IAF
  • Nauka

Dr. Patrick Rapp i Prof. Dr. Rüdiger Quay rozmawiają o szansach przemysłowych i możliwościach współpracy w Badenii-Wirtembergii

Sekretarz stanu ds. gospodarki zapoznaje się z technologiami kwantowymi w Fraunhofer IAF

Podczas swojej wizyty w Fraunhofer IAF 31 marca 2023 r. sekretarz stanu ds. gospodarki Badenii-Wirtembergii Dr Patrick Rapp oraz tymczasowy dyrektor instytutu Prof. Dr. Rüdiger Quay rozmawiali o przemysłowych szansach i możliwościach współpracy w dziedzinie technologii kwantowych. Wizyta obejmowała…

Fraunhofer IAF rozbudował swoją nowoczesną infrastrukturę badawczą dla technologii półprzewodnikowych o nową halę MOCVD (z przodu) oraz nowy budynek laboratoryjny (z tyłu). © Fraunhofer IAF / Fraunhofer IAF has expanded its state-of-the-art research infrastructure for semiconductor technologies with a new MOCVD hall (front) and a new laboratory building (back). © Fraunhofer IAF 30 czerwca 2022 roku oficjalnie otwarto nowe budynki badawcze Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF / On June 30, 2022, the new research buildings of Fraunhofer IAF were officially inaugurated. © Fraunhofer IAF
  • Nauka

Nowe budynki dla optoelektronicznych pomiarów, sensorów kwantowych i epitaksji

Fraunhofer IAF rozszerza infrastrukturę badawczą dla technologii półprzewodnikowych

Fraunhofer IAF rozbudował swoją nowoczesną infrastrukturę badawczą i dalej poprawił warunki rozwoju przyszłościowych technologii półprzewodnikowych. Dzięki wsparciu ze strony federalnej, Badenii-Wirtembergii oraz BMVg wybudowano budynek laboratorium i halę MOCVD, które umożliwią instytutowi intensyf…

Lepsza informacja: ROCZNIK, NEWSLETTER, NEWSFLASH, NEWSEXTRA oraz KATALOG EKSPERTÓW

Bądź na bieżąco i subskrybuj nasz comiesięczny newsletter e-mail oraz NEWSFLASH i NEWSEXTRA. Dodatkowo dowiedz się z drukowanego ROCZNIKA, co dzieje się w świecie cleanroomów. A z naszego katalogu dowiesz się, kto jest EKSPERTEM w cleanroomie.

MT-Messtechnik ClearClean HJM Vaisala