Nueva planta para la producción de LED de GaN sobre Si
La empresa inglesa Plessey Semiconductors Ltd. ha encargado un sistema de producción CRIUS II-XL MOCVD en configuración de 7x6 pulgadas y ha anunciado la adquisición de más sistemas del mismo tipo. Con ello, Plessey quiere desarrollar LEDs de GaN sobre obleas de silicio.
Un equipo de servicio de AIXT…








