Nový rok, nová práce? Podívejte se na nabídky! více ...
Systec & Solutions GmbH Vaisala Berner International GmbH C-Tec
cleanroom online
Němčina Angličtina Francouzština Maďarština Polština Čeština Italština Španělština Nizozemština

Všechny publikace od IMEC Belgium

Nový impulsní rádiový ultrawidebandový vysílačový čip od Imec umožňuje přenosové rychlosti až 1,66 Gb/s pro aplikace uvnitř těla a na krátké vzdálenosti. / Nový impulsní rádiový ultrawidebandový vysílačový čip od Imec umožňuje přenosové rychlosti až 1,66 Gb/s pro aplikace uvnitř těla a na krátké vzdálenosti.
  • ‌
  • Veletrh

Příspěvek na ISSCC '22 potvrzuje, že technologie UWB je schopná podporovat aplikace s nízkou spotřebou energie a vysokou přenosovou rychlostí – od chytrých brýlí, které umožní zážitky AR/VR budoucnosti, až po bezdrátové T

Imec vyvíjí ultraširokopásmový vysílačový čip, který umožňuje přenosové rychlosti až 1,66 Gb/s s příkonem v miliwattovém rozsahu

Na mezinárodní konferenci o pevných stavebních obvodech (ISSCC), která se koná tento týden, představí imec - celosvětově přední výzkumné a inovační centrum pro nanoelektroniku a digitální technologie - nový impulsní radiový ultrabroadbandový (IR-UWB) vysílačový čip, který by mohl znovu definovat bud…
Prozessquerschnitte der auf 200 mm GaN-auf-SOI-Substraten hergestellten Hochspannungsbauelemente (a) e-Modus pGaN-HEMT, (b) d-Modus MIS-HEMT, (c) Schottky-Barriere-Diode. Alle Bauelemente enthalten metallische Feldplatten, die auf Front-End- und Interconnect-Metallschichten basieren und durch dielektrische Schichten getrennt sind. / Process cross-sections of the high-voltage components fabricated on 200 mm GaN-on-SOI substrates (a) e-mode pGaN-HEMT (b) d-mode MIS-HEMT, (c) Schottky barrier diode. All devices include metal field plates based on front-end and interconnect metal layers and separated by dielectric layers.
  • ‌
  • Věda

Integrace zajišťuje výrazné zvýšení výkonu systémů s GaN

Imec ukazuje úspěšnou monolitickou integraci Schottkyho diod a Depletion-Mode-HEMTs s GaN-IC 200 V

Tento týden představuje imec, přední výzkumné a inovační centrum pro nanoelektroniku a digitální technologie, na Mezinárodním setkání elektronových zařízení 2021 (IEEE IEDM 2021) úspěšnou ko-integration vysokovýkonných Schottkyho bariérových diod a depletion-mode HEMT na platformě GaN-on-SOI s p-GaN…
Program SSTS kombinuje poznatky společnosti imec v oblasti infrastruktury, technologií a strojů, aby pomohl celé hodnotové řetězci integrovaných obvodů snížit svůj ekologický otisk.
  • ‌
  • Věda

Apple se jako první veřejný partner zapojuje do nového výzkumného programu imec, který pomáhá celé hodnotové řetězci polovodičů snížit jejich ekologickou stopu

Imec, mezinárodně přední výzkumné a inovační centrum pro nanoelektroniku a digitální technologie, dnes oznámilo, že společnost Apple Inc. se připojila k zbrusu novému výzkumnému programu Udržitelných polovodičových technologií a systémů (SSTS) od Imec. Program SSTS je první iniciativa, která spojuje…
Diced-GaN-Wafer, podobný tomu, co budou moci vítězové vyrobit s imec.
  • ‌
  • Cena

Soutěž si klade za cíl podporovat inovace v oblasti výkonové elektroniky a využívat technologii GaN k vývoji výkonnějších, menších a rychlejších součástek, které zvýší hustotu výkonu zařízení

Imec a EUROPRACTICE oznamují vítěze soutěže o návrh technologie GaN-IC 2021

Imec, přední výzkumné a inovační centrum pro nanoelektroniku a digitální technologie, a EUROPRACTICE dnes oznámily vítěze soutěže o návrh GaN-IC 2021. Cílem soutěže je podpořit inovace v oblasti výkonové elektroniky, které využívají gallium nitridovou technologii Imec pro monolitickou integraci výko…
Ukázka demonstračního vzoru dýchacího testovacího zařízení vyvinutého společností imec. (Obrázek: imec)
  • ‌
  • Podniky

Imec ukončuje licenční smlouvu s miDiagnostics o komercializaci své patentované technologie pro rychlou a spolehlivou diagnostiku COVID-19 na základě dechu

Imec, celosvětově přední výzkumné a inovační centrum pro nanoelektroniku a digitální technologie, a miDiagnostics, spin-off od imec v rámci spolupráce s Johns Hopkins University, které se specializuje na vývoj Point-of-Care testů pro screening, diagnostiku a sledování řady zdravotních poruch, oznamu…
Přesnost zarovnání laserů po spojení je v obou osách x i y do 500 nm. DFB-Laserchips, gebondet auf einen 300-mm-Silizium-Photonik-Wafer. / DFB laser dies bonded onto a 300mm silicon photonics wafer. DFB laserové čipy přilepené na 300mm siliconový fotonický wafer. / DFB laserové čipy přilepené na 300mm siliconový fotonický wafer.

Imec spojuje své síly se společnostmi Sivers Photonics a ASM AMICRA, aby urychlilo hybridní integraci InP laserů a zesilovačů do silikonové fotoniky

Tento týden oznámí imec, celosvětově přední výzkumné a inovační centrum pro nanoelektroniku a digitální technologie, společně se Sivers Photonics (dříve CST Global a dceřiná společnost Sivers Semiconductors), britským výrobcem masových sérií III-V polovodičů pro fotonické produkty, a ASM AMICRA Micr…
Pohled do NEWSLETTERU

Lépe informováni: S ROČENKOU, NEWSLETTEREM, NEWSFLASH, NEWSEXTRA a ADRESÁŘEM ODBORNÍKŮ

Buďte aktuální a přihlaste se k odběru našeho měsíčního e-mailového NEWSLETTERU a NEWSFLASH a NEWSEXTRA. Získejte další informace o dění ve světě čistých prostorů s naší tištěnou ROČENKOU. A zjistěte, kdo jsou odborníci na čisté prostory, v našem adresáři.

Becker Pfennig Reinigungstechnik GmbH PMS MT-Messtechnik