AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei

AIXTRON SE (FSE: AIXA) beteiligt sich als einer der ersten Partner mit seinem Hyperion GaN-MOCVD-System an einem 300-mm-GaN-Programm für Leistungselektronik. Das Hyperion-System wird genutzt, um 300 mm Epitaxiewafer für das Programm und dessen Partner bereitzustellen und damit die Entwicklung von Nieder- und Hochspannungs-Leistungselektronikanwendungen zu unterstützen – beispielsweise On-Board-Charger und DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge, Wechselrichter für Solaranlagen sowie Stromverteilungssysteme für AI-Rechenzentren.

Imec, das renommierte Halbleiter-Forschungsinstitut mit Sitz in Leuven (Belgien), hat sein GaN-Power-Programm, das bisher auf 200 mm Wafern basiert, um ein neues 300 mm Programm erweitert, um GaN-Epitaxiewachstum und Prozessabläufe für nieder- und hochvoltige GaN-High-Electron-Mobility-Transistors (HEMT) zu entwickeln. Der Einsatz von 300 mm Substraten wird nicht nur die Herstellungskosten für GaN-Bauelemente senken, sondern auch die Entwicklung fortschrittlicherer Leistungselektronikbausteine ermöglichen – etwa hocheffiziente Niederspannungs-Point-of-Load-Wandler für CPUs und GPUs. AIXTRON unterstützt dieses neue Programm mit seinem Hyperion 300 mm GaN-MOCVD-System in imecs hochmodernem Reinraum in Leuven. Das System wird Epitaxiewafer für das Programm und dessen Partner liefern, um die Entwicklung von Nieder- und Hochvolt-Leistungselektronikanwendungen voranzutreiben.

„Wir sind sehr stolz, erneut mit imec zusammenzuarbeiten, um die Entwicklung im Bereich GaN-Power voranzutreiben. Dank der In-Situ-Reinigungsfunktionen ist unsere Hyperion 300 mm GaN-MOCVD-Plattform bislang die einzige vollautomatisierte Plattform. Sie ermöglicht es unseren Kunden, 300 mm GaN-Epitaxie nahtlos in ihre Silizium-Reinräume zu integrieren“, sagt Dr. Felix Grawert, CEO der AIXTRON SE, und ergänzt: „Es war für uns nur konsequent, die Partnerschaft mit imec im Bereich 300 mm GaN fortzusetzen, um die Einführung der Galliumnitrid-Technologie in immer mehr siliziumbasierten Anwendungen weiter zu beschleunigen. Die Zusammenarbeit stellt sicher, dass unsere Kunden direkt auf ihren MOCVD-Systemen von den neuesten Prozessfortschritten bei imec profitieren.“

AIXTRON und imec sind langjährige Partner in mehreren Programmen, in denen imec sowohl die AIXTRON G5+ C als auch die G10-GaN Anlage in seinem Reinraum einsetzt, um die Entwicklung von GaN-Power- und HF-Bauelementen für alle Forschungspartner voranzutreiben. Nachdem seit 2024 bereits an 300-mm-GaN-Power gearbeitet wurde, schafft diese neue Partnerschaft einen starken gegenseitigen Mehrwert für imec und AIXTRON: Sie beschleunigt die Verfügbarkeit vorproduktionsreifer Epitaxie-Rezepturen und Prozessabläufe, die Partner direkt auf ihren AIXTRON-MOCVD-Systemen nutzen können, um mit ihrer Produktentwicklung zu beginnen.